Infineon entwickelt die weltweit erste 12-Zoll-Galliumnitrid-Wafer-Technologie

Infineon Technologies AG gab heute die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Galliumnitrid-(GaN)-Leistungshalbleiter-Wafertechnologie bekannt. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden und skalierbaren Massenproduktionsumgebung beherrscht. Dieser Durchbruch wird den Markt für GaN-Leistungshalbleiter deutlich ankurbeln. Im Vergleich zu 200-mm-Wafern ist die Chipfertigung mit 300-mm-Wafern nicht nur technologisch fortschrittlicher, sondern ermöglicht durch den größeren Waferdurchmesser auch eine 2,3-fach höhere Anzahl an Chips pro Wafer und eine signifikant gesteigerte Effizienz.

Leistungshalbleiter auf GaN-Basis gewinnen in Industrie-, Automobil-, Konsumgüter-, Computer- und Kommunikationsanwendungen rasant an Bedeutung, darunter Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Fortschrittliche GaN-Fertigungsprozesse ermöglichen eine verbesserte Bauteilleistung und bieten zahlreiche Vorteile für Endkundenanwendungen, wie höhere Effizienz, kleinere Abmessungen, geringeres Gewicht und niedrigere Gesamtkosten. Dank seiner Skalierbarkeit gewährleistet der 300-mm-Fertigungsprozess zudem eine extrem hohe Versorgungssicherheit.

Jochen Hanebeck(CEO, Infineon Technologies)

Dieser bedeutende Erfolg ist das Ergebnis der Innovationskraft von Infineon und des Engagements unseres globalen Teams und unterstreicht unsere Position als Innovationsführer im Bereich GaN und Energiesysteme. Dieser technologische Durchbruch wird den Branchenwandel vorantreiben und uns ermöglichen, das volle Potenzial von GaN auszuschöpfen. Knapp ein Jahr nach der Übernahme von GaN Systems beweisen wir erneut unsere Entschlossenheit, eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen. Als führender Anbieter von Energiesystemen verfügt Infineon über Zugriff auf alle drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.

Infineon hat in seiner Halbleiterfabrik in Villach, Österreich, erfolgreich 300-mm-GaN-Wafer hergestellt. Die Produktion erfolgte über eine integrierte Pilotlinie, die auf bestehenden 300-mm-Silizium-Produktionsanlagen basiert. Infineon nutzt seine Stärken aus der etablierten Produktion von 300-mm-Silizium- und 200-mm-GaN-Wafern und baut die GaN-Kapazitäten entsprechend der Marktnachfrage weiter aus. Mit der 300-mm-GaN-Prozesstechnologie wird Infineon den wachsenden GaN-Markt maßgeblich vorantreiben. Schätzungen zufolge wird der GaN-Markt bis Ende 2030 ein Volumen von mehreren Milliarden US-Dollar erreichen.

Diese bahnbrechende technische Errungenschaft unterstreicht Infineons Position als globaler Marktführer im Bereich von Stromversorgungssystemen und IoT-Halbleitern. Durch den Einsatz der 300-mm-GaN-Technologie entwickelt Infineon kosteneffizientere Produkte, die alle Systemanforderungen der Kunden erfüllen, bestehende Lösungen optimieren und neue Lösungen sowie Anwendungsbereiche erschließen. Im November 2024 präsentiert Infineon die ersten 300-mm-GaN-Wafer der Öffentlichkeit auf der electronica in München.

Da die Herstellungsprozesse von GaN und Silizium sehr ähnlich sind, liegt ein wesentlicher Vorteil der 300-mm-GaN-Technologie darin, dass bestehende 300-mm-Silizium-Fertigungsanlagen genutzt werden können. Infineons bestehende 300-mm-Silizium-Produktionslinie für hohe Stückzahlen eignet sich ideal für die Testproduktion zuverlässiger GaN-Technologie, wodurch die Implementierung beschleunigt und ein effizienter Kapitaleinsatz ermöglicht wird. Die Serienproduktion von 300-mm-GaN wird dazu beitragen, die Kosten von GaN und Silizium auf ein vergleichbares RDS(on)-Niveau anzugleichen, sodass sich die Kosten vergleichbarer Silizium- und GaN-Produkte angleichen können.

Der 300-mm-GaN-Chip ist ein weiterer Meilenstein in Infineons strategischer Innovationsführerschaft und wird zu Infineons Mission der Kohlenstoffreduzierung und Digitalisierung beitragen.

FOUNTYL TECHNOLOGIES PTE. LTD. mit Sitz in Singapur ist spezialisiert auf die Formgebung, das Sintern und die Bearbeitung von Keramikmaterialien und bedient Anwender in der Halbleiterindustrie. Zu den Produkten gehören Siliziumkarbid-Spannfutter, poröse Keramik-Vakuumspannfutter, Luftschwimmtische, Keramik-Endeffektoren und Keramik-Führungsschienen. Kontaktieren Sie uns gerne für weitere Informationen zu einer möglichen Geschäftspartnerschaft.