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Les céramiques d'alumine possèdent une résistance mécanique élevée, une grande résistance d'isolation, une dureté élevée, une résistance à l'usure, une résistance à la corrosion et une résistance aux hautes températures, ainsi qu'une série d'excellentes propriétés, ce qui explique leur large utilisation dans les industries de la céramique, du textile, du pétrole, de la chimie, de la construction, de l'électronique et autres.

Le silicium a dominé le monde des transistors pendant des décennies. Mais la situation évolue. Des semi-conducteurs composés de deux ou trois matériaux ont été mis au point, offrant des avantages uniques et des propriétés supérieures.

L'un des avantages de la lithographie EUV est la réduction des étapes de traitement des puces. Son utilisation à la place des techniques traditionnelles d'exposition multiple permet de réduire considérablement les étapes de dépôt, de gravure et de mesure.

Bien que le nombre de fabricants de résine photosensible pour la lithographie EUV augmente, le marché est actuellement dominé par des entreprises japonaises.

Placer plusieurs puces côte à côte dans le même boîtier peut atténuer les problèmes thermiques, mais à mesure que les entreprises explorent davantage l'empilement des puces et les boîtiers plus denses pour améliorer les performances et réduire la consommation d'énergie, elles sont confrontées à un nouvel ensemble de problèmes liés à la chaleur.

Le développement de la technologie des semi-conducteurs est un moteur essentiel de la construction d'une société verte et sobre en carbone. Parallèlement, l'industrie des semi-conducteurs elle-même s'engage activement en faveur d'une société verte et sobre en carbone et contribue activement à l'objectif stratégique de neutralité carbone.

Ces dernières années, l'offre et la demande mondiales de plaquettes de silicium sont déséquilibrées, et la pénurie de plaquettes de 200 mm va se poursuivre pendant plusieurs années.

Les caractéristiques de haute qualité cristalline de la couche épitaxiale de SiC impliquent que cette couche doit présenter une structure cristalline de haute pureté et une faible densité de défauts afin de garantir la fiabilité des composants en SiC.

Le passage à un plasma à base d'hydrogène assure une gravure à grande vitesse des substrats de GaN, et des ingénieurs de l'université d'Osaka au Japon affirment avoir réalisé une nouvelle percée dans l'amincissement des substrats de nitrure de gallium (GaN) à l'aide d'un plasma à base d'hydrogène.

Le développement et l'application réussis de cette nouvelle technologie de semi-conducteurs pour l'IA démontrent un grand potentiel pour améliorer l'efficacité et la précision de l'IA.