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Les puces semi-conductrices sont omniprésentes ; elles constituent le cerveau des produits électroniques, des téléphones portables, des montres connectées, des ordinateurs, des voitures, du big data, du cloud computing et de l’Internet des objets. Leur développement est indissociable de ces puces. Dans l’industrie des semi-conducteurs, les céramiques avancées sont fondamentales.

Dans une interview exclusive accordée récemment en amont d'un événement sur invitation seulement à San Jose, Intel a présenté les nouvelles technologies de puces qu'elle proposera à ses clients sous contrat, en dévoilant un aperçu de ses futurs processeurs pour centres de données.

Dans le domaine de la fonderie de plaquettes, TSMC a toujours été le leader du secteur, et Samsung est le deuxième plus grand acteur du secteur, mais l'écart entre le deuxième et le plus ancien est très important : la part de marché de TSMC atteint 58,5 %, tandis que celle de Samsung n'est que de 15,8 %.

Les matériaux céramiques de précision peuvent être traités selon différentes méthodes, en fonction des performances requises. Actuellement, les principales méthodes de traitement comprennent l'usinage mécanique, l'usinage électrique, le traitement par ultrasons, le traitement laser et l'usinage composite. Voici une brève présentation des méthodes d'usinage des céramiques de précision.

Les céramiques microporeuses présentent les avantages suivants : adsorption, perméabilité, résistance à la corrosion, compatibilité environnementale, biocompatibilité, propriétés physiques et chimiques uniques de la structure de surface. Elles sont largement utilisées dans tous types de filtration de liquides, de filtration de gaz et comme supports d’enzymes biologiques fixes et supports biologiques adaptatifs.

Les effecteurs terminaux en céramique (bras robotiques en céramique) servent à manipuler et à transporter les plaquettes de silicium tout au long des procédés de fabrication des semi-conducteurs. Ils peuvent traiter des plaquettes de grande taille et être conçus avec un canal sous vide pour le transport de la pièce.

Les matériaux céramiques poreux présentent des propriétés variables selon la taille de leurs pores. Dans le cas des céramiques ultramicroporeuses et des pores extrêmement petits, la taille des pores est plusieurs fois supérieure au diamètre moléculaire. Lors de l'adsorption, la paroi du pore entoure les molécules adsorbées, et la force d'adsorption à l'intérieur du pore est très importante.

Le mandrin à vide en céramique haute densité (mandrin à vide en céramique poreuse), un matériau céramique poreux spécial avec une taille de pores de 2 à 3 microns, n'est pas facile à bloquer, force de vide élevée, adsorption partielle de la surface, mais peut également être utilisé comme plateforme flottante à air, largement utilisé dans les semi-conducteurs, les panneaux, le traitement laser et le glissement linéaire sans contact.

La formule chimique du carbure de silicium est SiC. Il est obtenu par réduction carbothermique du dioxyde de silicium, formant un matériau extrêmement dur à liaisons covalentes. On le trouve très rarement à l'état naturel, mais il est présent dans le minéral moissanite, découvert pour la première fois en Arizona en 1893.

La Corée du Sud prévoit de construire un super pôle d'industries des semi-conducteurs grâce à un investissement de 622 billions de wons et de créer 3,46 millions d'emplois.