Infineon développe la première technologie mondiale de plaquettes de nitrure de gallium de 12 pouces
Infineon Technologies AG a annoncé aujourd'hui avoir développé avec succès la première technologie mondiale de plaquettes de semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) de 300 mm. Infineon est la première entreprise au monde à maîtriser cette technologie révolutionnaire dans un environnement de production de masse existant et évolutif. Cette avancée majeure va dynamiser considérablement le marché des semi-conducteurs de puissance GaN. Comparée aux plaquettes de 200 mm, la production de puces sur plaquettes de 300 mm est non seulement plus avancée technologiquement, mais, grâce à l'augmentation du diamètre des plaquettes, le nombre de puces par plaquette est multiplié par 2,3, ce qui améliore significativement l'efficacité.
Les semi-conducteurs de puissance à base de GaN connaissent une popularité croissante dans les applications industrielles, automobiles, grand public, informatiques et de communication, notamment pour les alimentations des systèmes d'IA, les onduleurs solaires, les chargeurs et adaptateurs, ainsi que les systèmes de commande de moteurs. Les procédés de fabrication avancés du GaN permettent d'améliorer les performances des dispositifs et offrent de nombreux avantages aux utilisateurs finaux : rendement accru, taille réduite, poids allégé et coût total inférieur. De plus, grâce à sa capacité de production à grande échelle, le procédé de fabrication de 300 mm garantit une excellente stabilité d'approvisionnement.
Jochen Hanebeck(PDG, Infineon Technologies)
Ce succès significatif est le fruit de la capacité d'innovation d'Infineon et du travail acharné de notre équipe internationale, et confirme notre position de leader en matière d'innovation dans le domaine du GaN et des systèmes de puissance. Cette avancée technologique va transformer l'industrie et nous permettre d'exploiter pleinement le potentiel du GaN. Près d'un an après l'acquisition de GaN Systems, nous réaffirmons notre détermination à être un acteur majeur sur le marché du GaN, en pleine expansion. En tant que leader des systèmes de puissance, Infineon a accès aux trois matériaux associés : le silicium, le carbure de silicium et le nitrure de gallium.
Infineon a produit avec succès des plaquettes de GaN de 300 mm dans son usine de semi-conducteurs de puissance de Villach, en Autriche, grâce à une ligne de production pilote intégrée à ses installations de production de silicium de 300 mm existantes. Infineon tire parti de ses atouts, notamment sa capacité de production mature de silicium de 300 mm et de GaN de 200 mm, tout en augmentant sa capacité de production de GaN pour répondre à la demande du marché. Grâce à sa technologie de fabrication de GaN de 300 mm, Infineon entend dynamiser le marché du GaN en pleine croissance. Ce marché devrait atteindre plusieurs milliards de dollars d'ici fin 2030.
Cette avancée technique majeure confirme la position d'Infineon comme leader mondial des systèmes d'alimentation et des semi-conducteurs pour l'Internet des objets (IoT). Grâce au déploiement de la technologie GaN 300 mm, Infineon conçoit des produits plus économiques répondant à l'ensemble des besoins des systèmes clients, améliore les solutions existantes et ouvre la voie à de nouvelles solutions et applications. En novembre 2024, Infineon présentera au public les premières plaquettes GaN 300 mm lors du salon electronica de Munich.
Les procédés de fabrication du GaN et du silicium étant très similaires, un avantage majeur de la technologie GaN 300 mm réside dans la possibilité d'utiliser les équipements de production de silicium 300 mm existants. La ligne de production de silicium 300 mm à haut volume d'Infineon est parfaitement adaptée à la production pilote d'une technologie GaN fiable, ce qui accélère sa mise en œuvre et optimise l'utilisation des capitaux. La production à grande échelle de GaN 300 mm contribuera à rapprocher les coûts du GaN et du silicium au même niveau de RDS(on), permettant ainsi d'égaliser le coût des produits silicium et GaN comparables.
Le GaN de 300 mm constitue une nouvelle étape importante dans le leadership d'Infineon en matière d'innovation stratégique et contribuera à sa mission bas carbone et numérique.
FOUNTYL TECHNOLOGIES PTE. LTD., située à Singapour, est spécialisée dans les technologies de formage, de frittage et d'usinage de matériaux céramiques. Au service des utilisateurs de semi-conducteurs, ses produits comprennent des mandrins en carbure de silicium, des mandrins à vide en céramique poreuse, des tables flottantes à air, des effecteurs terminaux en céramique et des rails de guidage en céramique. N'hésitez pas à nous contacter pour toute collaboration commerciale potentielle.