Qu'est-ce que l'épitaxie ?
Épitaxie Désigne une technologie de croissance cristalline ou de dépôt de matériaux qui occupe une place extrêmement importante dans le processus de fabrication de la microélectronique et de l'optoélectronique, notamment : l'homoépitaxie, l'hétéroépitaxie et l'épitaxie intergranulaire. La nouvelle couche cristalline formée par épitaxie possède une ou plusieurs orientations de domaine cristallin claires par rapport au substrat ou au germe, c'est-à-dire que chaque domaine de la nouvelle couche cristalline doit avoir une orientation cristalline claire par rapport à la structure cristalline du substrat.
La technologie de croissance cristalline épitaxiale comporte trois méthodes de formation de film (comme indiqué sur la figure) : Volmer-Weber (VW), Frank-van der Merwe (FM) et Stranski-Krastanov (SK).
On distingue généralement deux technologies d'épitaxie : l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie en phase gazeuse, cette dernière incluant l'épitaxie en phase gazeuse, le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) et l'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Le film cristallin déposé est appelé film épitaxié ou couche épitaxiale.
Il existe trois principaux modes de croissance du film, notamment :
(a)Volmer-Weber (VW, croissance insulaire)
(b) Frank-van der Merwe (FM, croissance en couches)
(c) Stranski-Krastanov (SK, croissance insulaire en couches)
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